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核心技术

3D DRAM 近存计算
打破内存墙,提供极致带宽

我们采用业界领先的 Hybrid Bonding(混合键合)封装技术,实现逻辑层与 DRAM 层的无凸点垂直互连。相比传统方案(依赖硅中介层和微凸点),Hybrid Bonding 将互连间距从数十微米压缩至亚微米级别,带来数量级提升的互连密度与带宽密度。

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核心技术

3D DRAM 近存计算
打破内存墙,提供极致带宽

我们采用业界领先的 Hybrid Bonding(混合键合)封装技术,实现逻辑层与 DRAM 层的无凸点垂直互连。相比传统方案(依赖硅中介层和微凸点),Hybrid Bonding 将互连间距从数十微米压缩至亚微米级别,带来数量级提升的互连密度与带宽密度。

Technological Advantages

技术优势

突破传统2.5D封装的物理极限,以亚微米级垂直互连在带宽、延迟与工艺三大维度实现架构级创新。

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    • 极致带宽

      垂直互连密度数量级提升,单芯片带宽远超传统方案。

    • 超低延迟

      垂直互连距离大幅缩短,信号传输延迟显著降低。

Scene

AI 场景覆盖

无论是大模型训练的密集计算,还是自回归推理的带宽瓶颈,3D近存计算架构均能以极致带宽消除数据饥饿,以超低延迟压降搬运开销,全场景保持SOTA性能。

Products

全栈产品 覆盖从芯片到集群

公司产品包括软件定义超高性能近存计算芯片、基础软件与应用软件、高性能服务器和大规模集群系统解决方案。

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